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半導體行業(yè)偏壓濕熱試驗箱的設計，符合實驗條件模擬了“85/85”穩(wěn)態(tài)濕度壽命試驗(JESD22-A101)的失效機理，即在讓元件長時間承受電氣性stress高溫（85℃）、高濕（85%RH）環(huán)境條件，至少運行1000h，評估元件的電力和機械性性能。
相關(guān)標準：
AEC-Q101：汽車電子分立器件質(zhì)量標準，適用于汽車電子元件的可靠性要求。
MIL-STD-750D：美國軍用標準，規(guī)定了軍用電子元件的可靠性試驗方法和程序。
GJB128：中國軍用標準，類似于MIL-STD-750D，適用于軍用電子元件的可靠性測試。
JESD22A-101：半導體工業(yè)協(xié)會頒布的標準，用于規(guī)范半導體器件的測試方法和程序。
技術(shù)參數(shù)：
試驗過程通電要求：
UHAST/AC無需加偏壓，HAST/H3TRB需要加偏壓，加偏壓分為持續(xù)加壓和循環(huán)加偏壓。
1、連續(xù)通電+偏壓：若發(fā)生偏置，Tj溫度大于環(huán)境溫度≈10℃并在器件散熱低于200 mW情況下使用直流偏置持續(xù)外加偏壓方式。
2、循環(huán)加偏壓：在被測器件上加直流電壓，頻率要合適，占空比要周期。若偏置配置造成Tj溫度大于環(huán)境溫度10℃、使用循環(huán)偏壓時，由于功耗加熱容易降低水分，妨礙水分有關(guān)失效機制。對對于大多數(shù)塑料封裝的微電路，用50%的占空比循環(huán)DUT偏置是最佳的。≥2 mm厚的封裝的循環(huán)應力周期應為≤2小時，＜2 mm厚的封裝應為≤30分鐘。推薦1小時通和1小時斷的循環(huán)偏置。
如有半導體行業(yè)偏壓濕熱試驗箱的選型疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。
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